LGE MMDT5551
" (1615)MMDT5551双晶体管(NPN+NPN)
该资料主要介绍了MMDT5551双NPN晶体管的产品特性,包括其电气参数、最大额定值、电特性以及封装尺寸等信息。
MMDT5551 DATA SHEET
MMDT5551 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN)
MMDT5551 NPN+NPN Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT5551 Plastic-Encapsulate Multi-Chip (NPN+NPN) Transistor
MMDT5551 Dual Transistor(NPN+NPN)
MMDT5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMDT5551 DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5551 SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT5551 Multi-Chip TRANSISTOR (NPN)
MMDT5551 SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT5551 Dual NPN Small Signal Transistor
鲁光电子(LGE)二极管/三极管/桥式整流器/功率器件选型表
鲁光电子科技有限公司(简称 LGE)成立于2002年9月,致力于功率半导体电子元器件研发、生产、销售的国家高新技术企业。其生产的TVS ,ZENER,SCHOTTKY,RECTIFIERS、FRED,TRANSISTOR、MOS、IGBT等半导体器件,广泛应用在汽车电子,消费类电子,智能制造,安防,工控,电动工具、新能源、船机等诸多领域。
- Silicon rectifiers
- Fast recovery rectitiers
- High efficiency rectifiers
- Super fast recovery rectifiers
- Small signal schottky barrier rectifiers
- Low VF schottky barrier rectifiers
- Schottky barrier rectifiers
- Small signal switching diodes
- Switching diodes
- TVS dides
- Zener diodes
- ESD protection diodes
- Silicon bidirectional Diacs
- Bridge rectifiers
- Three-phase Bridge rectifiers
- Automotive rectifiers
- High voltage rectifiers
- Transisitors
- MOSFET
- Voltage regulators
- Digital transistors
- TRIAC
- Standard rectifiers
- Thyristors
- Fast Recovery EPI Rectifiers
- SiC Diodes
- SiC FETs
- IGBT
鲁光电子(LGE)二极管和三极管选型指南
Luguang Electronic Technology CO.,LTD. (LGE) is a National High-tech enterprises of discrete semiconductor design, manufacture and sell. LGE offers a full range of TVS Diodes,Zener Diodes, Schottky Diodes,Silicon Rectifiers and Fast Recovery Rectifiers etc , which are exported to more than 100 countries and widely used in automotive electronics, consumer devices, intelligent manufacturing, etc.~~~~~~路光电子科技有限公司是一家集分立半导体设计、制造、销售为一体的国家级高新技术企业。LGE提供全系列的TVS二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、硅整流器和快速恢复整流器等,出口到100多个国家,广泛应用于汽车电子、消费类设备、智能制造等领域。
BC847BS-7-F BC857BS-7-F MMDT2222A-7—F MMDT2907A-7—F MMDT 3904-7—夫MMDT 3906—7—夫MMDT 4124—7—夫姆迪特4126—7-夫姆迪特4401-7-夫姆迪4403-7-夫姆迪特5401-7一夫姆迪特5551-7—夫RoHS合格证书
本文件为Diodes Inc.公司出具的合规证明,确认其生产的指定元器件符合欧盟2002/95/EC指令(RoHS指令)关于限制在电气和电子设备中使用某些有害物质的要求。文件列出了多个元器件型号,并声明这些元器件符合指令中的定义。同时,文件还确认了Diodes Inc.提供的材料声明准确无误。证明文件由授权签字人签署,并注明了日期和修订日期。
LGE Signal Tower Installation Manual
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LGE Signal Tower User's Manual
MMDT3946 双晶体管 (NPN+PNP)
MMDT3946是一款双晶体管(NPN+PNP)器件,采用SOT-363封装。该器件由一个3904型NPN晶体管和一个3906型PNP晶体管组成,适用于低功耗放大和开关应用。资料中详细列出了MMDT3946的最大额定值、NPN和PNP晶体管的电气特性,包括截止电流、电流增益、饱和电压、转换频率等参数。此外,还提供了SOT-363封装的尺寸图和推荐焊盘布局图。
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